EDC湿法显影刻蚀系统光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理新一代的旋转喷淋式湿法处理机台，不仅jinque控制试剂注射，还能够大大节约试剂，绿色环保的湿法处理方案。顶盖阀门控制技术显影液注射头的位置我们采用dujia的VoD顶盖阀门控制技术，确保在基片中心位置垂直向下喷射，确保样片表面的试剂受力均匀性。VS其他厂商提供的喷射装置参考如下图，是从圆弧顶盖的不同角度倾斜喷射时，样片收集到的试剂量不均...

据第三方机构智研咨询统计，至2022年quanqiu光刻胶市场规模将超过100亿美元。光刻胶按应用领域分类，可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。quanqiu市场上不同种类光刻胶的市场结构较为均衡，具体占比可以如下图所示。据智研咨询的数据显示，受益于半导体、显示面板、PCB产业东移的趋势，2019年中国光刻胶市场本土企业销售规模约70亿元，quanqiu占比约10%，发展空间巨大。目前，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应...

等离子去胶机是我们在微波等离子处理工艺中的新产品。该批次式晶圆灰化设备成本低廉、尺寸适中，特别适用于工厂、科研院所等领域。等离子去胶机操作规程：1、自动切割小车应经空车运转，并选定切割速度；2、使用钍、钨电极应符合JGJ33-2001第12.7.8条规定；3、高频发生器应设有屏蔽护罩，用高频引弧后，应立即切断高频电路；4、应检查并确认电源、气源、水源无漏电、漏气、漏水，接地或接零安全可靠；5、操作人员应站在上风处操作。可从工作台下部抽风，并宜缩小操作台上的敞开面积；6、小车、...

等离子刻蚀机一般应用于半导体加工领域，而等离子清洗机则一般应用于材料领域。等离子清洗处理可改变材料的表面化学。因此能改变材料的表面性质。例如，大气或是氧气等离子常用在聚合物(例如聚苯乙烯,聚乙烯)表面产生羟基。通常表面从疏水性(高水接触角)改变至亲水性（水接触角小于30度），并增加表面润湿性能。等离子处理也能改变其它材料的表面化学（表面性质），如硅、不锈钢及玻璃。用低温等离子体在适宜的工艺条件下处理PE、PP、PVF2、LDPE等材料，材料的表面形态发生显著的变化，引入了多种...

PDMS是一种有机聚合物材料，广泛应用微流控芯片实验室。今天我们来介绍有关如何进行PDMS光刻复制，也称为软光刻工艺，为您提供一些实验中的小技巧，优化您的实验结果。01硅烷化模具的制备*使用模具时，必须使其疏水。SU-8模具中的硅通常具有很强的亲水性，因此PDMS对它有良好的亲和力，其强度足以使之无法剥离，只能将模具破坏并从头开始实验。这里我们使用硅烷功能，一旦在表面上yongjiu粘合，也可使接触角超过90°，表面疏水。可以使用气体或液体处理，即通过气体或连续的液浴将硅烷功...

悬浮活性硅膜厚度测量，适用于MEMS微机电系统应用，光斑尺寸为25um。简介硅基底的传感器因其高性能、低成本和小尺寸而广泛应用于不同的MEMS微机电系统。悬浮在图案上的硅膜或基于SOI的传感器上的活性硅层的厚度对于控制终平台的性能至关重要[1]。在这里，我们已经在一个MEMS微机电系统压力传感器上测量了硅薄膜厚度，使用的是孔径为250μm的FR-μProbe，该工具安装在一个徕卡分模光学显微镜上。使用10倍物镜进行测量，该物镜与选定的孔径大小一起对应于25μm的光斑大小(测量...

悬浮活性硅膜厚度测量，适用于MEMS微机电系统应用，光斑尺寸为25um。简介硅基底的传感器因其高性能、低成本和小尺寸而广泛应用于不同的MEMS微机电系统。悬浮在图案上的硅膜或基于SOI的传感器上的活性硅层的厚度对于控制终平台的性能至关重要[1]。在这里，我们已经在一个MEMS微机电系统压力传感器上测量了硅薄膜厚度，使用的是孔径为250μm的FR-μProbe，该工具安装在一个徕卡分模光学显微镜上。使用10倍物镜进行测量，该物镜与选定的孔径大小一起对应于25μm的光斑大小(测量...