光刻胶mr-NIL212FC 系列——专为高精度软紫外纳米压印设计的革命性解决方案 产品核心优势： 快速固化技术（FC）：专为 200 nm 以下微细结构 优化，即使低强度紫外光源（如 LED）也能实现高效固化，显著提升生产效率。 Excellence刻蚀稳定性：相比标准型号（mr-NIL210），对 SiO₂ 等难刻蚀基材 的兼容性更强，图案转移精度更高。 PDMS 印章最佳搭

高分辨率：支持 ＜100 nm 结构压印（如mr-NIL212FC可实现200nm柱阵列）。 量产适配： UV-NIL：室温低压（＜100 mbar），适合大面积和连续生产（R2R）。 T-NIL：热塑性/热固性 可选，平衡效率与稳定性。 工艺灵活性： 可搭配 LOR 光刻胶实现金属纳米结构剥离（Lift-off）。 通过 SiPOL 硅含量树脂实现图案放大，用于深槽刻蚀。

Transene二氧化硅 (SiO₂) 蚀刻液 光刻胶，高纯度缓冲HF蚀刻剂，适用于热生长或沉积的二氧化硅薄膜。Transene二氧化硅蚀刻剂是半导体应用的理想选择，它能够最小化蚀刻不足的情况，并具有广泛的兼容性。缓冲氧化物蚀刻剂标准发货时不含表面活性剂。可根据要求添加非PFAS表面活性剂。

KemLab光刻胶 TRANSIST系列产品与大多数湿法蚀刻液具有出色的兼容性，为微电子应用提供可靠、高分辨率的解决方案。TRANSIST提供正性和负性两种工作方式的光敏抗蚀剂，

纳米压印胶 mr-NIL200 系列——专为高精度图案转移设计的紫外光固化解决方案。自粘附配方，无需底涂，专为硬质印章（石英/OrmoStamp®）设计。

mr-NIL210系列是一款专为软紫外纳米压印技术（soft UV-NIL）设计的光固化纳米压印胶，特别适配于PDMS类软质印章材料（推荐使用Shin-Etsu的KER-4690 PDMS印章）。其高精度、易操作的特性，使其成为图案转移工艺中理想的蚀刻掩模材料。