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测量方法：采用Fr-Basic与Fr-Mapper相结合的方法，在大面积的预定点上快速、准确地测量薄膜厚度。当样品固定在一个Fr-Mapper上时，所有的测量都用一个Fr-Basic进行调节，使其在540-1000纳米的光谱范围内工作。反射探头的有效光斑直径为0.5毫米。样品是涂有SiO2（热的或TEOS）和Si3N4（LPCVD）/SiO2（热的）4英寸硅晶片。在参考测量中，使用了高反射镀铝镜（NT01-913-533，Edmund光学）。

结果：在图1中，显示了硅晶片（蓝色）上的扫描区域（红色）。有意地将6x6cm2扫描区域的中心向左下角移动。图2a显示了Teos SiO2的厚度值。在两个轴上以2毫米的步幅测量薄膜厚度（总共961次测量）。计算平均厚度为635.07nm，标准差为4.24nm。小厚度为623.13nm，大厚度为641.35nm。在图2b中，显示了相同扫描区域热生长SiO2（湿氧化）的膜厚值。在两个轴上以2毫米的步幅测量厚度（总共961次测量）。平均厚度为697.29nm，标准差为0.93nm。小厚度为697.22nm，大厚度为701.32nm。热生长SiO2的薄膜厚度变化明显较小，而且薄膜厚度梯度呈现径向对称性，而Teos薄膜则并非如此。图3显示了Si3N4/SiO2叠层中的膜厚值。

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结论：Fr-Mapper与Fr-Basic连接，在单层和多层膜厚测绘中取得了成功。

Fr-Basic