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MicroChem光刻胶的主要技术指标都有哪些?
发布时间:2020-04-19 点击次数:426次
  MicroChem光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。
  MicroChem光刻胶应用范围:广泛应用于集成电路,封装,微机电系统,光电子器件光子器件,平板显示器,太阳能光伏等领域。
  主要技术参数
  1.灵敏度
  灵敏度是衡量曝光速度的指标。灵敏度越高,所需的曝光剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
  2.分辨率(resolution)
  区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,分辨率越好。
  分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
  (1)曝光系统的分辨率。
  (2)对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
  (3)前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响分辨率。
  3.对比度
  对比度指从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。
  4.粘滞性/黏度
  衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。
  5.抗蚀性
  必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
  6.工艺宽容度
  光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对z后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的工艺条件,当实际工艺条件偏离z佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小,即有较大的工艺宽容度。这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。
  以上便是今天关于MicroChem光刻胶的主要技术指标都有哪些的全部分享了,希望对大家今后使用本设备能有帮助。
  

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