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促进MicroChem光刻胶研究开发和应用

发布时间:2018-08-21      点击次数:1551
   促进MicroChem光刻胶研究开发和应用
  
  MicroChem光刻胶是芯片制造过程中的关键材料,芯片制造要根据具体的版图(物理设计,layout)设计出掩模板,然后通过光刻(光线通过掩模板,利用光刻胶对裸片衬底等产生影响)形成一层层的结构,后形成3D立体电路结构,从而产生Die(裸片)。工艺的发展,光刻机的发展,材料学的同步发展才能促进摩尔定律的发展。
  
  MicroChem光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。
  
  MicroChem光刻胶的技术复杂,品类较多,根据其化学反应机理可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶做涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
  
  MicroChem光刻胶参数主要包括以下几种:
  
  1)分辨率,用关键尺寸(摩尔定律)来衡量分辨率;
  
  2)对比度,光刻胶从曝光区到非曝光区过度的陡度,会对芯片制造良率产生影响;
  
  3)粘滞性粘度,衡量光刻胶流动特性的参数;
  
  4)敏感度,产生一个良好的图形所需一定波长光的小能量值(小曝光量);
  
  5)粘附性,粘附于衬底的强度;
  
  6)抗蚀性,光刻胶要保持粘附在衬底上并在后续刻蚀工序中保护衬底表面;
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