MicroChem光刻胶满足客户需求反应作用

　　MicroChem光刻胶满足客户需求反应作用
　　
　　MicroChem光刻胶广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离MicroChem光刻胶在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化（＜0.25µM），以及非常厚（＞4µm）金属化。这些*的材料可几乎满足任何客户需要。
　　
　　MicroChem光刻胶材料用途：金属电梯加工，桥制造，释放层。
　　
　　曝光过程中，MicroChem光刻胶中的感光剂发生光化学反应，从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。正性光刻胶中的感光剂DQ发生光化学反应，变为乙烯酮，进一步水解为茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid,简称ICA），羧酸对碱性溶剂的溶解度比未感光的感光剂高出约100倍，同时还会促进酚醛树脂的溶解。于是利用感光与未感光的光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。
　　
　　刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作保护层，可以将其除去，称为去胶，分为湿法去胶和干法去胶，其中湿法去胶又分有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。有机溶剂去胶，主要是使光刻胶溶于有机溶剂而除去；无机溶剂去胶则是利用光刻胶本身也是有机物的特点，通过一些无机溶剂，将光刻胶中的碳元素氧化为二氧化碳而将其除去；干法去胶，则是用等离子体将光刻胶剥除。