WS1000 湿法刻蚀机是面向半导体、MEMS、光电子器件研发与中小批量生产的微纳加工核心湿法工艺设备，依托可控化学反应实现薄膜去除与图形转移，集成刻蚀、清洗、显影、冲洗、干燥等一体化功能，广泛应用于硅基芯片、化合物半导体、微流控芯片与光学器件制备，是实验室和产线湿法工艺平台的主流机型之一。
设备工作原理基于液相化学腐蚀，利用特定配方的刻蚀药液与基片表面待加工薄膜发生选择性化学反应，将光刻胶窗口暴露区域的材料溶解剥离，保留被掩膜保护的图形结构。整套工艺由程序自动执行，基板送入后，喷淋系统将刻蚀液均匀涂布在晶圆表面，配合高精度温控与流量调节，稳定控制刻蚀速率与选择比；刻蚀完成后自动切换去离子水冲洗，清除残留化学药剂，再通过氮气吹扫完成基板干燥，减少水痕、颗粒污染，保障图形精度。相比干法刻蚀，湿法刻蚀具备加工面积大、成本低、损伤小的特点，适合微米级结构加工、大面积薄膜去除与表面预处理工序。
WS1000整机主体采用耐强腐蚀聚丙烯材质构建湿台腔体，抗酸、碱、双氧水、溴化氢等各类半导体常用化学试剂，腔体配备可拆卸多孔湿台台面，便于清理残渣与维护。硬件系统分为流体输送模块、温控模块、PLC控制系统与安全防护模块。流体单元包含药液储罐、循环泵、精密流量计与阵列喷嘴，可实现药液循环过滤，提升药液利用率与工艺一致性；温控模块支持宽区间温度调节，稳定维持刻蚀反应环境，抑制温度波动带来的刻蚀不均；触摸屏人机界面支持多套工艺配方存储、编辑与调用，实时显示温度、流量、液位、工艺时长等参数，全程工艺可追溯，便于研发人员快速迭代试验方案。安全层面集成防溅护罩、液位报警、紧急停机、强排风联动与化学废液收集系统，防止有害试剂挥发与泄漏，保障操作人员安全，符合微纳实验室安全生产规范。
该设备兼容多种基片与材料加工，可处理硅、氧化硅、氮化硅、铝、铬等薄膜，也适配磷化铟等化合物半导体基板，支持最大8英寸晶圆加工，可灵活配置多药液槽，按需搭载原位药液混合功能，适配食人鱼清洗、金属刻蚀、介质层腐蚀、光刻胶显影等多种工艺。设备模块化设计优势突出，可集成旋涂单元，将匀胶、显影、刻蚀工序整合，减少晶圆在不同设备间的转运污染，安装调试简便，维护成本低，既能满足高校科研院所小批量工艺探索，也可承接MEMS传感器、光芯片的中小批量试制任务。
在实际应用中，WS1000的核心优势在于工艺重复性好、面内均匀度高。通过稳定控制药液温度、喷淋流量与反应时间，降低晶圆片内、片间刻蚀偏差，减少毛刺与图形畸变。同时设备支持LIMS系统对接，实现工艺数据自动记录上传，满足半导体研发与产线的质量管理、审厂溯源需求。
在微纳制造产业链中，湿法工艺是芯片加工不可缺环节。WS1000 湿法刻蚀机凭借多功能集成、耐化学腐蚀、自动化程度高的特点，弥补了传统简易湿法通风橱工艺不稳定、操作依赖人工的短板，为MEMS器件、光电子芯片、微流控芯片的研发落地提供可靠工艺平台。随着国内微纳加工产业快速发展，这类模块化湿法工作站，在科研创新与国产器件试制领域，持续发挥重要作用。
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