ma-N 2400 & mr-EBL 6000：重新定义微纳加工的“负胶”精度极限

在微纳加工领域，选择一款分辨率高、工艺宽容度大且耐刻蚀的光刻胶至关重要。micro resist technology GmbH 推出的 ma-N 2400 与 mr-EBL 6000 两大负性光刻胶系列，为您的电子束曝光及深紫外光刻工艺提供优质解决方案。

ma-N 2400 系列：经典可靠，双敏感型

类型：负性光刻胶，同时对电子束和深紫外（DUV）敏感。

分辨率：电子束曝光下可实现 （注：资料中展示了50nm线宽/80nm点阵） 高分辨率图形。

显影友好：采用TMAH或NaOH碱性水溶液显影，避免有机溶剂溶胀问题。

耐刻蚀性：具有高干法/湿法刻蚀抗性，图形热稳定性优异。

适用性：提供从0.1μm到1.0μm（2401/2403/2405/2410）多种膜厚选择。

mr-EBL 6000 系列：化学放大，超高效率

类型：化学放大负性电子束光刻胶。

高灵敏度：相比传统负胶，曝光速度显著提升（例如10keV下仅需2-6 μC/cm²），大幅缩短写入时间。

分辨率：稳定实现80nm线宽/点阵的 精细结构。

热稳定性：经过后烘（PEB）后交联牢固，耐刻蚀性。

膜厚选择：提供100nm、300nm、500nm（6000.1/6000.3/6000.5）标准膜厚。

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