快速退火炉用于半导体硅片精密退火与工艺研发

MYCRO这款RTP-500SV快速退火炉可实现100–1300℃范围内的高速、精准热处理，专为4英寸硅片退火及半导体材料工艺研发而设计。

快速退火炉（RTP）

——用于半导体硅片精密退火与工艺研发

在半导体材料与器件制造过程中，硅片退火工艺对晶格修复、掺杂激活、薄膜质量及器件性能具有决定性影响。本快速退火炉（Rapid Thermal Processor, RTP）采用高功率卤钨灯辐射加热技术，结合精准温控与多重安全保护，为4英寸及以下硅片提供稳定、可重复的快速热处理解决方案。

典型应用

离子注入后退火（掺杂激活、损伤修复）

硅片应力释放与晶体结构优化

氧化 / 氮化工艺后的热处理

新材料、新结构及新工艺研发

半导体材料教学与科研实验

核心技术优势

🔹超宽温度范围与高精度控制

温度设定范围：100 – 1300℃

全温区测温精度优于 0.5%（100–1300℃）

稳态温度稳定性：±1℃

双闭环温度控制，1000℃可连续稳定工作>1小时

🔹高速、可控的热处理能力

升温速率：2 – 200℃/秒，可调

每段工艺时间设定范围：1 – 30,000秒

有效降低热扩散，满足工艺需求

🔹高度灵活的工艺编程

PC 笔记本电脑控制（Windows 7+RTP控制软件）

可存储500条以上温度曲线

每条曲线支持50段以上程序步骤

工艺数据可导出为文本文件，便于分析与追溯

主要技术参数

样品尺寸：4 英寸硅片

测温方式：K 型热电偶

加热光源：1.25 kW × 13 支卤钨灯

密封石英腔体内尺寸：215 × 140 × 14 mm

工艺气体：1 路 MFC 质量流量控制器

真空系统：配套真空油泵，抽速 8 m³/h