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MC方案|RIE / ICP干法蚀刻工艺案例
发布时间:2020-11-16 点击次数:38次

ICP / RIE蚀刻应用范围:

- Si,SiO2,SiN蚀刻工艺

- Al,Cr,Ti,TiW,Au,Mo等金属蚀刻工艺

- 晶圆尺寸:一片,4英寸,6英寸晶圆

RIE 等离子刻蚀案例:

SiO2 / SiN蚀刻

80 sccm CF4,均匀性<5%,在6英寸晶圆上

几种功率水平下的压力与蚀刻速率(如下图):

 

PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料,拥有模块化腔室和电极配置,可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小,触摸屏计算机控制,多级程序控制和组件控制,操作简单。用于研究、工艺开发和批量生产,可轻松集成到自动化生产线和系统中。

 腔室/电极

PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。腔室材料是硬质阳极氧化铝,耐腐蚀。有几种不同的电极设计,包括用于反应离子刻蚀(RIE)和平面处理的水冷平板电极,用于表面清洗或处理的交替托盘电极,用于最小化离子损伤的下游电极,和用于普通的圆柱形等离子体处理的笼式电极。

 

标配圆柱形“桶”式电极

用于光刻胶剥离和各向同性刻蚀

 

RIE电极(可选配)

用于各向异性蚀刻的水冷电极

 

隔板电极(可选配)

用于各向同性蚀刻,标配2块电极

 

等离子体源

该系统可选配LF(KHz)或13.56(MHz)射频电源以及自动匹配网络。 

 真空泵系统

该系统配机械泵或带罗茨鼓风机的机械泵。根据所需的真空处理水平,可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蚀性泵油(惰性泵油),适用于氧气或其他腐蚀性化学应用。流量控制器(MFC)的气体管路是标配。下游压力控制器是选配。

电脑控制

 

触摸屏电脑控制,提供无线程序存储多步骤工艺简单易存,易于编程,实时显示工艺条件。工艺处理可用条形码读取(选配)。

 

其中较典型的等离子处理工艺包括:

▪ 等离子预处理

▪ 光刻胶去胶

▪ 表面处理

▪ 各向异性和各向同性蚀刻

▪ 故障分析应用

▪ 材料改性

▪ 封装清洗

▪ 钝化层刻蚀

▪ 聚酰胺刻蚀

▪ 促进粘合

▪ 生物医学应用

▪ 聚合反应

▪ 混合清洗

▪ 预键合清洗

电话:400-8800298
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