UltraT进口湿法刻蚀和剥离系统

简介：这款蚀刻和清洁系统专为满足当今晶圆、光掩模和基板的前沿应用的特殊工艺需求而设计。这款高效的蚀刻和清洁系统CESx124、126、128或133是理想选择，可满足不同大小尺寸的晶片、光掩模和衬底，不论是从小直径还是非常大直径。CESx可以配置多种工艺分配选项，Megasonic喷嘴对DI H20或化学药品的处理分配选项；用于化学制剂的低压喷嘴；化学加热器和DI-H20；用于表面搅拌以加快反应的刷子，和/或DI H20等。

可编程抛物线机械臂运动有助于确保均匀蚀刻。快速有效的干燥技术结合了可变的旋转速度；可选加热DI-H20和氮气辅助。该系统非常安全，在接近基底之前，可以通过“漂洗至pH” 尽量减少对化学物质的接触。

特点：

• 专为重要控制和安全而设计的系统。
• 多达9x9英寸/ 300mm直径的基板兼容性。
• 主轴组件具有直流无刷伺服电机，可实现准确的速度控制和分度。
• 特氟龙涂层不锈钢臂可调节臂速度和行进位置。
• 径向排气腔，用于大层流，盖子顶部有N2进料。
• DI-H20加热器，用于清洁和干燥辅助。
• 过程中包含化学相容性材料PVDF或可选的PTFE。
• 独立式聚丙烯柜。
• 微处理器控制功能可以在存储器中保留三十（30）步的配方，每个配方有三十（30）步。配方和步骤的数量均可根据要求扩展。
• 内置安全联锁和双重控制。
• 用联锁装置冲洗整个工艺区域和基材的pH值，以禁止进入工艺区域并控制排放和主轴转速直到安全。
• 按钮盖打开/关闭。
• 触摸屏图形用户界面（GUI），易于编程和安全锁定，并带有屏幕错误报告。
• 用于化学和房屋排水的排水分流阀。
• 设计符合SEMI S2 / S8准则。

技术参数：

• 产品：蚀刻和剥离系统
• 型号：CESx124
• 可用机械臂：4
• 大基板尺寸：13英寸直径
• 大主轴速度：2500
• 配方：高达30
• 分配管路：12

主营产品：

Laurell匀胶机    

Harrick等离子清洗机

Thetametrisis膜厚仪 

Microxact探针台

ALD原子层沉积系统

TRION反应离子刻蚀机

Uvitron紫外固化箱

NXQ紫外曝光光刻机      

Novascan紫外臭氧清洗机

Nilt纳米压印机

Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加热板

Annealsys高温退火炉

Kinematic程序剪切仪

Laurell EDC系统，湿站系统    

Wabash/Carver自动压片机