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光刻胶SU-8 2000

简要描述:SU-8 2000是一种高对比度,基于环氧的光致抗蚀剂,设计用于微加工和其他微电子应用,需要厚,化学和热稳定的图像。 SU-8 2000是SU-8的改进配方,多年来已被MEMS生产商广泛使用。使用更快干燥,极性更大的溶剂系统可改善涂层质量并提高工艺产量。 SU-8 2000有十二种标准粘度。通过单道涂覆工艺可以实现0.5至> 200微米的膜厚。使膜的暴露的和随后热交联的部分不溶于液体显影剂。

  • 产品型号:2005/2010/2025
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2023-11-13
  • 访  问  量:2336

详细介绍

加工准则

SU-8 2000光刻胶通常用常规的UV(350-400 nm)辐射曝光,尽管建议使用i-line(365 nm)波长。 SU-8 2000也可能会受到电子束或X射线辐射的照射。 曝光后,交联在两个步骤中进行(1)在曝光步骤中形成强酸,然后(2)在曝光后烘烤(PEB)步骤中进行酸催化的热驱动环氧交联。 正常过程是:旋涂,软烤,曝光,PEB,然后显影。

SU-8 2000功能

•高纵横比成像

•单层涂膜厚度为0.5至> 200mm

•改善涂层性能

•更快干燥以提高产量

•近紫外线(350-400 nm)处理

•垂直侧壁

硬烤(固化)

SU-8 2000具有良好的机械性能。但是,对于要保留成像的抗蚀剂作为终设备一部分的应用,可以将硬烘烤结合到该过程中。通常仅在终设备或零件在正常运行期间要进行热处理时才需要这样做。添加了硬烘烤或终固化步骤,以确保SU-8 2000的性能在实际使用中不会改变。 SU-8 2000是一种热敏树脂,因此暴露于比以前高的温度下,其性能会不断变化。我们建议使用的终烘烤温度要比设备的预期工作温度高10°C。根据所需的固化程度,通常使用的烘烤温度范围为150°C至250°C,烘烤时间为5至30分钟。注意:硬烘烤步骤还可用于对显影后可能出现的任何表面裂纹进行退火。建议的步骤是在150°C下烘烤几分钟。这适用于所有膜厚度

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