美国KemLab负性光刻胶 PKP-308PI 具有改进的分辨率、附着力、耐蚀刻性、低针孔密度，是负性光刻胶中综合性能最佳的选择。在使用过程中无需对光刻胶进行膜过滤。可实现微米级别的分辨率，且在生产中光刻胶工艺能保持高度可重复性。

美国KemLab负性光刻胶 HARE SOTM是一种基于环氧树脂的负型光阻，专为聚合物MEMS、微流体、微机械加工以及其他微电子应用而设计。

美国KemLab正性光刻胶 KLT 5300是一种专为i-Line、g-Line和宽带应用优化的正型光阻。KLT 5300具有高灵敏度和高吞吐量，适用于集成电路制造。

KemLab 正性光刻胶 KLT 6000 ，适用于 i-Line、宽带或 g-Line 曝光。

EM Resist SU-8负性抗蚀剂产品，非常适合半导体应用。我们的产品有各种形式和厚度范围。 典型的SU-8过程包括以下步骤： 基板准备 旋涂 松弛时间以提高表面均匀度 软烤 曝光后烘烤 发展历程 冲洗并干燥 可选硬烤

公司拥有齐全的纳米系列压印胶材料，热压型纳米压印胶、热塑型纳米压印胶、紫外光固化型纳米压印胶、紫外光固化纳米压印和光刻两用胶、举离型传递层材料、刻蚀型传递层材料、各种与纳米压印技术相关的化学药品，如模板防粘剂、基片增粘剂等。