KemLab光刻胶

KemLab光刻胶 Transist正性和负性光刻胶

描述
TRANSIST系列光刻胶产品与大多数湿法蚀刻液具有出色的兼容性，为微电子应用提供可靠、高分辨率的解决方案。TRANSIST提供正性和负性两种工作方式的光敏抗蚀剂，是专为与Transene蚀刻液配合使用的低毒性替代品。

TRANSIST NC500和ND560是负性光刻胶，适用于旋涂或浸涂应用。在300-450 nm的吸光度范围内具有感光性，根据处理条件，TRANSIST NC500和ND560可解析精度高达1微米的图形。干燥后的聚合物表现出优异的基材附着力。TRANSIST NC500和ND560可单独购买，也可与显影剂、漂洗剂、剥离剂和稀释剂成套购买。

TRANSIST PC800和PD860是高分辨率正性光刻胶，具有优秀的基材附着力。在300-450 nm范围内显影，TRANSIST PC800和PD860在大多数酸性蚀刻介质中稳定，适用于浸涂或旋涂应用。TRANSIST PC800和PD860非常适合用于标准湿法蚀刻设备。TRANSIST PC800和PD860可单独购买，也可与显影剂、漂洗剂、剥离剂和稀释剂成套购买。

KemLab光刻胶 Transist正性和负性光刻胶

TRANSIST配套化学品

TRANSIST NC500和ND560处理参数

表面准备
基材应清洁且无碎屑。使用适合基材的清洁溶液。例如，Transene 100可留下清洁无残留的表面。

涂布
未稀释的TRANSIST NC500可通过浸涂或旋涂方式施涂。在旋涂应用中，推荐转速为1500-4000 rpm，加速速率为100 rpm。在此条件下，可获得3-6微米范围的干膜抗蚀剂厚度。在推荐转速范围内，涂布质量与转速无关。对于更高分辨率和更薄的抗蚀剂沉积层，可选用TRANSIST ND560。在相似的转速下，可获得1-3微米范围的干膜涂层厚度。或者，也可手动或使用自动化设备浸涂TRANSIST NC500和ND560以获得最佳均匀性。使用此方法可在1-10微米的厚度范围内实现±10%的涂布厚度分布。稀释剂NC4500可用于稀释TRANSIST NC500，稀释剂ND4560适用于TRANSIST ND560。

未稀释的TRANSIST PC800是一种正性光刻胶，可通过浸涂或旋涂方式施涂。在旋涂应用中，推荐转速为1500-4000 rpm，加速速率为100 rpm。在此条件下，可获得3-6微米范围的干膜抗蚀剂厚度。在推荐转速范围内，涂布质量与转速无关。对于更高分辨率和更薄的抗蚀剂沉积层，可选用TRANSIST PD860。在相似的转速下，可获得1-3微米范围的干膜涂层厚度。或者，也可手动或使用自动化设备浸涂TRANSIST PC800和PD860以获得最佳均匀性。使用此方法可在1-10微米的厚度范围内实现±10%的涂布厚度分布。稀释剂PC4800可用于稀释TRANSIST PC800，稀释剂PD4860适用于TRANSIST PD860。

干燥
涂布后的抗蚀剂暴露在低速、过滤的气流下，可在五分钟内干燥至不粘手状态。风干后，需要在80°C的对流烘箱中保持十分钟。此烘箱干燥步骤是后续处理所必需的。避免高于100°C的干燥温度，否则可能导致不可接受的表面质量。无需干燥后搁置时间。涂布干燥后的部件可在洁净室环境中保存长达24小时。或者，也可在热板上干燥十分钟。

曝光
干燥后，抗蚀剂可在300至450 nm（理想范围为350-400 nm）的准直光下曝光。推荐曝光能量为200-400 mJ/cm²，导致阶调密度读数约为4-6级实心（solid）。通常不需要曝光后硬烤，但可以实施以增加处理后的耐化学性。

显影
TRANSIST NC500可使用显影剂NC1500进行显影。抗蚀剂的未曝光区域通常在25°C下45-90秒内溶解，但提高显影剂温度将加速该过程并有助于溶解难以去除的涂层。过度加热或过长的曝光时间也可能损坏已聚合的抗蚀剂。将工件浸入漂洗剂NC2500中5-10秒，然后用去离子水漂洗，即可终止显影过程。使用显影剂ND1560显影TRANSIST ND560时，应采用类似的处理条件。显影后，将工件浸入漂洗剂ND2560中5-10秒以终止显影过程。最后，用去离子水漂洗。

光刻胶显影后，即可进行酸性电镀或酸性湿法蚀刻化学工艺的后续处理。TRANSIST NC500和ND560不适用于碱性电镀或蚀刻环境。在此类情况下，推荐使用PKP II光刻胶。

剥离
剥离剂NC3500设计用于在50°C或更高温度下快速去除TRANSIST NC500。这种碱性剥离剂会使抗蚀剂呈片状剥离。建议在此过程中搅拌剥离剂。对于TRANSIST ND560，可在类似条件下使用剥离剂ND3560。

TRANSIST PC800和PD860处理参数

表面准备
基材应清洁且无碎屑。使用适合基材的清洁溶液。例如，Transene 100可留下清洁无残留的表面。

干燥
涂布后的抗蚀剂暴露在低速、过滤的气流下1-3分钟后可干燥至不粘手状态。风干后，需要在80°C的对流烘箱中保持十分钟。此烘箱干燥步骤是后续处理所必需的。避免高于100°C的干燥温度，否则可能导致表面质量不佳。无需干燥后搁置时间。涂布干燥后的部件可在洁净室条件下保存长达24小时。或者，也可在热板上干燥十分钟。

曝光
干燥后，抗蚀剂可在300至450 nm（理想范围为350-400 nm）的准直光下曝光。理想的曝光能量为200-350 mJ/cm²，导致阶调密度读数约为1-3级实心（solid）。避免可能导致抗蚀剂过热的长时间曝光。

显影
TRANSIST PC800可使用显影剂PC1800进行显影。抗蚀剂的未曝光区域通常在20-30°C下30-45秒内溶解，但提高显影剂温度将加速该过程或允许处理难以去除的涂层。过度加热或过长的曝光时间也可能损坏已聚合的抗蚀剂。必须将基板浸入漂洗剂中5-10秒，然后用去离子水漂洗，以终止显影过程。使用显影剂PD1860显影TRANSIST PD860时，应采用类似的处理条件。显影后，将工件浸入漂洗剂PD2860中5-10秒以终止显影过程。最后，用去离子水漂洗。

光刻胶显影后，即可进行酸性电镀或酸性湿法蚀刻化学工艺的后续处理。TRANSIST PC800和PD860不适用于碱性电镀或蚀刻环境。在此类情况下，应使用PKP II光刻胶。

剥离
剥离剂PC3800设计用于在50°C或更高温度下快速去除TRANSIST PC800。这种碱性剥离剂会使抗蚀剂呈片状剥离。建议在此过程中搅拌剥离剂。对于TRANSIST PD860，可在类似条件下使用剥离剂PD3860替代。