详细介绍
产品亮点
l自粘附特性:无需额外底涂剂(Primer),直接适用于硅、蓝宝石等多种基材,简化工艺流程,降低成本。
l高兼容性:专为气密性硬质印章(如石英、玻璃、OrmoStamp®)优化,确保图案转移的高保真度。
l快速光固化:在 320–420 nm 紫外光下高效固化,氧气干扰极低,适合工业化量产环境。
l精准膜厚控制:提供 100 nm、200 nm、300 nm 三种标准厚度,支持定制稀释(推荐稀释剂 mr-T 1078)。
为什么选择 mr-NIL200?
✅ Excellence的刻蚀掩模性能:纯有机配方,无硅残留,与反应离子刻蚀(RIE)工艺Perfection匹配,实现高分辨率图案转移。
✅ 工艺灵活性:适配主流纳米压印设备(如 EV Group、SUSS MicroTec),支持低压力(<100 mbar)压印,减少缺陷风险。
✅ 即用型配方:开瓶即用,旋涂后 60°C 预烘 3 分钟 即可进入压印步骤,大幅提升生产效率。
典型应用场景
l半导体器件:纳米线、光子晶体结构的批量制造。
l光学元件:AR/VR 衍射光栅、微透镜阵列的图案化。
l生物传感器:高精度微流控芯片的快速 prototyping。
技术参数速览
特性 | mr-NIL200-100nm | mr-NIL200-200nm | mr-NIL200-300nm |
膜厚(nm) | 100 ± 15 | 200 ± 20 | 300 ± 25 |
动态粘度(mPa·s) | 1.3 ± 0.2 | 1.4 ± 0.2 | 1.6 ± 0.2 |
折射率(589 nm) | 1.435 | 1.438 | 1.441 |
使用须知
l存储条件:需冷藏保存(4°C),使用前恢复至室温,避免冷凝污染。
l安全环保:无卤素溶剂,废弃按有机溶剂处理,符合环保标准。
l后处理:残余层可通过 O₂ 等离子体 或 热硫酸(Piranha) Thorough去除。
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