美国KemLab负性光刻胶

美国KemLab负性光刻胶 HARE SOTM 高深宽比环氧光刻胶

产品描述

HARE SQ™ 是一种基于环氧树脂的负性光刻胶，专为聚合物 MEMS、微流控、微加工及其他微电子应用而设计。本系统适用于 2 至 100 微米的厚膜应用，是光刻胶需保留在最终器件中的应用的理想选择。

产品优势

• 采用洁净度高、重现性优异的环氧树脂

• 交联后光刻胶表面能稳定（对微流控应用至关重要）

• 兼容 SU-8 工艺

• 负性（Negative）

• 膜厚：单次旋涂可达 100μm

• 感光度：宽带光源/i-line

• 显影液：HARE SQ™ 专用显影液

工艺指南表

HARE SQ™ 负性环氧光刻胶

基板准备

HARE SQ™ 可附着于多种基板（包括硅、金、铝、铬、铜）。为获得优良附着力，基板在涂胶前需保持清洁干燥。

涂覆工艺

旋涂法：通过图示转速曲线控制膜厚。涂覆程序包含 5-10 秒铺展阶段，最终转速持续 30 秒。

软烘烤

推荐采用接触式热板进行两步烘烤，以减小膜应力及附着力问题（详见工艺指南表）。

美国KemLab负性光刻胶 HARE SOTM

曝光与光学参数

HARE SQ™ 适用于近紫外波段（300-400nm）曝光。曝光剂量因设备配置、膜厚及工艺条件而异。工艺指南表提供采用 360nm 截止滤光片的宽带曝光基准剂量。

曝光后烘烤（PEB）

PEB 时间需根据膜厚调整以保证充分交联。推荐两步烘烤法降低膜应力，避免开裂/脱附（详见工艺指南表）。

显影

需使用 KemLab 专用显影液，支持浸没、喷淋或喷淋-浸没组合模式。厚膜显影建议更新显影液（如双喷淋法）。显影后用异丙醇（IPA）冲洗基板并干燥（详见工艺指南表）。

硬烘烤

应用：>120℃热板烘烤 ≥5 分钟可修复应力裂纹。
结构体：>150℃烘箱烘烤可增强交联且应力增加最小。

存储条件

避光保存于 4-21℃ 密闭容器。远离氧化剂、酸、碱及火源。

操作与废弃

安全警示：含可燃液体！远离热源/明火。操作请参考 SDS 文件并佩戴防护装备。
废弃处理：兼容标准光刻胶废液流，需按当地法规处置。