美国KemLab正性光刻胶

美国KemLab正性光刻胶KLT 5300

正性光刻胶 (Positive Photoresist)

描述： KLT 5300 是一款针对 i-Line、g-Line 和宽谱曝光应用优化的正性光刻胶。KLT 5300 具有高灵敏度、高产能的特点，适用于集成电路 (IC) 制造。

• ● 膜厚范围：0-2.5 μm

• ● 设计用于行业标准的 0.26 N TMAH（四甲基氢氧化铵）显影液

• ● 可提供定制配方

美国KemLab正性光刻胶KLT 5300

基底 (Substrate)

KLT 5300 可粘附于多种基底，包括硅 (silicon)、玻璃 (glass)、金 (gold)、铝 (aluminum)、铬 (chromium) 和铜 (copper)。建议使用 HMDS（六甲基二硅氮烷）底涂剂。HMDS 底涂剂将增强其与大多数基底的粘附性。

旋涂 (Spin Coat)

目标膜厚使用右侧的旋涂速度曲线图确定。涂胶程序包括一个 5 秒的铺展循环。在最终转速下的旋涂时间为 45 秒。旋涂曲线是使用 6 英寸硅片和静态滴涂约 3 ml KLT 5300 光刻胶测定的。

对于 KLT 5300 和大多数其他厚度在 10 微米以下的正性光刻胶，微调膜厚的公式如下：
新旋涂速度 = 原旋涂速度 × (实测膜厚 / 目标膜厚)²

前烘 (Soft Bake)

推荐的热板前烘温度为 90°C - 105°C。典型的烘烤时间为 60 秒。

曝光与光学参数 (Exposure & Optical Parameters)

KLT 5300 适用于 i-Line、宽谱或 g-Line 曝光。

曝光后烘烤 (Post-Exposure Bake, PEB)

在接触式热板上以 115°C 烘烤 60 秒。

显影 (Develop)

KLT 5300 针对使用 0.26N TMAH 显影液进行了优化。

光刻胶去除 (Photoresist Removal)

KLT 5300 可使用行业标准的去除剂（如 NMP（N-甲基吡咯烷酮）、DMSO（二甲基亚砜）等）在 50-80°C 的温度下去除。

较厚的胶膜可受益于采用双槽工艺：第一槽去除大部分光刻胶，第二槽清洁干净。

储存 (Storage)

将产品直立存放于密闭容器中，温度保持在 40-70°F (4-21°C)。远离氧化剂、酸、碱和火源。