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MYCRO*荷兰光刻机（掩膜曝光光刻机Mask Aligner ），是的光刻系统，为半导体制造和科研领域提供品质优良稳定的全波段紫外光刻机系统，广泛的应用于半导体光刻工艺制程、微机电MEMS、二极管芯片、发光二极体（LED）芯片制造、生物器件、纳米科技、显示面板LCD、光电器件、奈米压印以及电子封装等诸多领域。

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掩膜曝光光刻机Mask Aligner产品概述：

一、掩膜曝光光刻机Mask Aligner产品简介：

光刻机分为半自动和全自动两大系列。MPEM系列是高精度的双向掩模对准器，在晶片的顶侧和底侧包括对准光学系统，因此可以与顶侧对准对顶侧表面进行接触，软接触和接近图案化。晶片底面上的图形。掩模和晶圆的准确对准可能是通过高分辨率光学系统实现的，该光学系统的顶部和底部均安装了对称排列的10X物镜。由于可以调成对的物镜之间的间隔，所以不规则形成的晶片也可以自由地对准。

		MPEM-1600	MPEM-12M	MPEM-16M
光罩尺寸		多5英寸	多7英寸	多9英寸
晶圆尺寸		高达4英寸（无定形）	高达6英寸（无定形）	高达8英寸（无定形）
面罩架滑动		手动卡盘
面具运动		X =±3毫米，Y =±3毫米
接触	方法	软接触/硬接触/接近暴露
	照明	250W超高压蒸气汞灯	500W超高压蒸气汞灯
	照明不规则	±5％
	有效接触面积	直径100毫米	直径150毫米	直径200毫米
	解析度	3mµ L / S
对准	方法	目镜观察（精神领域系统）		9英寸视频监控系统
	物镜	10X两对（上/下）
	目镜	NWF 10X（一对）		--
	总放大倍率	100倍		200倍
	物镜分离	15〜90毫米	80〜140毫米	55〜184毫米
	聚焦单元	手册
	对准范围	X，Y =±4mmθ =±22.5°	X，Y =±4mmθ =±5°
	对齐间隙	09〜99微米
	对准精度	小于±5mm
实用工具	主机电源	100-220V AC，50 / 60Hz，15A（600W）
	水银灯电源	100-220V AC，50 / 60Hz，15A（550W）	100-220V，50 / 60Hz，15A（1,100W）
	氮气	0.4〜0.5兆帕	100-220V AC，50 / 60Hz，15A（1,100W）
	真空压力	小于21.3kPa （从大气压到-80kPa ）
尺寸（主机）		750（宽）x 820（深）x 1,700（高）mm	940（宽）x 860（深）x 1,670（高）mm	1,200（宽）x 1,090（深）x 1,800（高）mm
净重		大约 450公斤	大约 550公斤	大约 700公斤
选件		NWF 15X目镜（一对） 9英寸电视监视器系统（黑白）		--

MPEM-1600	MPEM-12M	MPEM-16M
（适用于直径大为4英寸的晶片）	（适用于直径大为6英寸的晶片）	（适用于直径大为8英寸的晶片)