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MR200 晶圆划片机
手动划线可无误切割
结构化硅晶片的制造
MR 200的设置可为结构化硅晶片切割提供高精度划线。MR 200是必不可少的工具，特别是对于半导体技术中的REM制备。MR 200还适用于少量芯片的单芯片化，例如在实验室中使用。设备基本设置为划线参数的调整提供了多种选择。高质量的变焦光学元件可将放大倍率从8倍无级调节到40倍。光学和机械学可以通过辅助模块进行扩展，以提高效率和操作

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晶圆划片机产品概述：

晶圆划片机 MR200
手动划线可无误切割
结构化硅晶片的制造
晶圆划片机 MR200的设置可为结构化硅晶片切割提供高精度划线。MR 200是必不可少的工具，特别是对于半导体技术中的REM制备。MR 200还适用于少量芯片的单芯片化，例如在实验室中使用。设备基本设置为划线参数的调整提供了多种选择。高质量的变焦光学元件可将放大倍率从8倍无级调节到40倍。光学和机械学可以通过辅助模块进行扩展，以提高效率和操作

将基板放在托盘上后，将显微镜聚焦在晶圆表面上。通过手动将工作台驱动到x和y方向，可以将划线调整为样本上的参考标记或结构。高质量的变焦显微镜可在样品表面的总览和细节显示之间进行快速切换。使用x / y十字架工作台的微调，可以非常无误地定位晶片。划线钻石的接触点可以调节。目镜的十字准线或监视器上的十字准线定义了划线钻石的接触点。划线钻石由脚踏开关（升高/降低）控制，因此可以用双手控制划线运动。如果定义了划线，则通过脚踏开关降低钻石。为了划片，手动移动整个托盘。相机图像在计算机屏幕上。视频图像可以保存。图片显示了光学元件的不同放大倍率，它们在目镜中显示为8x，16x，32x和40x。

特点：

•挤压型材的基本框架

•尺寸（B×T×H）：400×800×600mm

•重量：20kg

•电动划线（咨询：气动划线，以提高划线力）

•通过脚踏开关控制划线钻石（下降，抬起）

•可调节的划线能力（10 g…120 g，其他可询价）

•划线槽宽度 5 µm…10 µm（取决于划线力度和材料）

•下降速度可调

•划线钻石高度可调

•划线金刚石工作角度可调

•通过真空提取划线颗粒

•高质量的变焦显微镜，可无级调节放大倍率，范围为8×…40×

•十字形目镜，用于根据边缘，结构和参考标记等无误调整划线

•在放大10倍时，光学分辨率更好10 µm

•涂有特氟隆涂层的真空晶片托盘，安装在x / y平台上，直径200 mm（可询问100 mm）

•通过千分尺螺丝微调晶片夹头的角度（10 µm，分辨率= 0.006°）

•托盘无误旋转90°，无需关闭真空

•可调节挡块，使卡盘旋转90°

•手动x / y平台，行程（200×200）mm，用于划刻运动和粗略定位

•25毫米测微头螺钉，可横向于划线方向无误定位

•10毫米测微螺钉，可在划线方向上无误定位

•带亮度控制和电源的LED环形灯

•最小样本尺寸约：（10×10）mm

•晶圆厚度：硅晶圆的所有标准厚度

•材料：硅，砷化镓（GaAs）（其他材料如有查询）

•视频系统（也带有图像处理软件）作为附件提供

光学

高质量的变焦光学元件可将放大倍率从8倍调整为40倍。显微镜还提供许多附加功能附件。

产品参数：

MR200 晶圆划片机
管路中的气压	<75 mbar
电源	100-220 V交流电，60W
晶圆托盘直径	100mm	200mm
范围	X:±12,5mm, y:±6,5 mm/0,01mm; ɸ: ±2°
切割长度	200mm
重量	约16kg
划切力度	10g – 130g
显微镜倍率	Γ’=8…40x
设备尺寸	高度：550mm，宽度：430mm，深度：700mm

产品相关关键字： MR 200 精密刻痕机划片机 Diaond Scribe

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