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SU-8 2000是一种高对比度，基于环氧的光致抗蚀剂，设计用于微加工和其他微电子应用，需要厚，化学和热稳定的图像。 SU-8 2000是SU-8的改进配方，多年来已被MEMS生产商广泛使用。使用更快干燥，极性更大的溶剂系统可改善涂层质量并提高工艺产量。 SU-8 2000有十二种标准粘度。通过单道涂覆工艺可以实现0.5至> 200微米的膜厚。使膜的暴露的和随后热交联的部分不溶于液体显影剂。

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光刻胶SU-8 2000产品概述：

为了获得最大的过程可靠性，在涂覆SU-8 2000抗蚀剂之前，基材应清洁干燥。为了获得很好的结果，应使用食人鱼湿法蚀刻（使用H2SO4和H2O2）清洁基材，然后用去离子水冲洗。

基材也可以使用反应离子蚀刻进行清洁

（RIE）或任何装有氧气的桶式灰烬。通常不需要粘合促进剂。对于包括电镀的应用，建议使用MCC Primer 80/20（HMDS）对基材进行预处理。

涂层

SU-8 2000抗蚀剂有十二种标准粘度。本加工指南文件涉及四种产品：SU-8 2025，SU-8 2035，SU-8 2050和SU-82075。图1。

提供选择合适的SU-8 2000抗蚀剂和旋转条件以实现所需膜厚所需的信息。

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1.）为基板直径的每英寸（25毫米）分配1ml的抗蚀剂。

2.）以100 rpm /秒的加速度在500 rpm下旋转5-10秒。

3.）以300 rpm /秒的速度在2000 rpm下旋转30秒。

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光刻胶SU-8 2000

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