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韩国Mask Aligner光刻机

型    号:L-100和M-100
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光刻是一种将图案从玻璃光掩模转移到半导体或玻璃基板上的光学技术。

韩国Mask Aligner光刻机产品概述:

L-100

光刻是一种将图案从玻璃光掩模转移到半导体或玻璃基板上的光学技术。L-100专为4英寸晶圆而设计,具有硬接触、软接触和真空接触三种接触方式。对准器有一个365nm的UV LED光源。365nm处的光功率为20mW/cm 。可用于商业半导体制造或大学实验室晶圆制造以及MEMS领域。


技术参数

类型

PLC手动控制系统

波长

365 nm

掩膜版尺寸

5英寸

紫外光强度

20 ㎽

基片尺寸

4英寸晶圆

紫外线光束均匀度

≤3 %

分辨率

1 ㎛

接触模式

真空/硬/软

对准精度

1 ㎛

显微镜

CCD变焦显微镜



选配项

Anti-vibration table, IR BSA, CCD BSA

M-100

光刻是一种将图案从玻璃光掩模转移到半导体或玻璃基板上的光学技术。M-100专为4英寸晶圆而设计,具有硬接触、软接触和真空接触三种接触方式。对准器有一个350W的紫外线光源。365nm处的光功率为25mW/cm 。可用于商业半导体制造或大学实验室晶圆制造以及MEMS领域。


技术参数

类型

PLC手动控制系统

波长

350 ~ 450 nm

掩膜版尺寸

最大5*5英寸

紫外光强度

15 ~ 25/ ㎠

基片尺寸

4英寸晶圆

紫外线光束均匀度

3 ~ 5 %

分辨率

1 ㎛

接触模式

真空/硬/软/接近

对准精度

1 ㎛

显微镜

CCD变焦显微镜

紫外灯和电源

350W

选配项

Anti-vibration table, IR BSA, CCD BSA





产品相关关键字: 光刻机 光刻

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