Plasmionique微波等离子MWPlasma MWPECVD

Plasmionique微波等离子MWPlasma MWPECVD

核心技术特点

1.微波耦合模式多样

支持单模腔、多模腔、驻波、表面波及电子回旋共振（ECR）等离子生成机制，适应不同工艺需求。

2.等离子源类型

可选水冷ECR（低压环境）或碰撞（高压环境）等离子源，覆盖广泛的工作压力范围。

硬件配置

3.紧凑设计

系统尺寸：宽32英寸（约81厘米）、深22英寸（约56厘米）、高24英寸（约61厘米）。

沉积腔室：直径8英寸（约20厘米），高度14英寸（约36厘米）。

4.高效真空系统

涡轮泵速度达80-90 L/s，基础真空压力低至10⁻⁶至10⁻⁷ Torr，确保洁净工艺环境。

5.温控系统

基板支架支持水冷或加热至300°C，PID闭环控制，可编程升降温曲线及输出限制。

6.兼容基片尺寸

最大支持4英寸（约10厘米）直径基片。

自动化与智能控制

7.自动化工艺控制

集成可编程200W/450W固态射频发生器，内置自动阻抗匹配。

通过PLASMICON软件实现工艺配方自动化，支持自定义流程。

8.实时监控与数据管理

10英寸触摸屏实时显示数据，支持用户交互。

可选集成光学光谱仪，用于过程监控及闭环控制。

扩展性与灵活性

9.气体与流程管理

最多支持2路工艺气体线路，配备自动排气系统。

可扩展接口，便于整合第三方设备或传感器。

10.应用领域

适用于薄膜沉积（如CVD、PECVD）、表面改性、纳米材料合成等研究及小规模生产场景。

可选配高级数据采集和远程监控功能。

Plasmionique微波等离子MWPlasma MWPECVD 实验室和小型生产中灵活、高效的多功能等离子处理平台，尤其适合需要精确控制工艺参数的科研与工业应用。