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紫外掩膜曝光系统 |
特点:
· 高压或雾化喷雾清洗
· 拥有触摸屏界面
· 可重复过程的快速启动按钮
· 自动透明盖
· CDA 和 N2 输入传感器
WCS-200专为切割后的晶圆清洗而设计。该系统有两种配置:最大8英寸的晶圆和最大12英寸的晶圆。
晶圆清洗工艺通过触摸屏进行设置。 用户可以通过4个步骤对多达50个程序段进行编程:
· 冲洗
· 吹扫
· N2干燥
· 旋转
每个步骤可设置不同的速度和时间参数。
技术参数:
晶圆最大尺寸 | 8"/12"mm |
晶圆清洗参数: · 速度; · 加速度; · 清洗时间; · 冲洗时间; · N2干燥时间; | |
转速范围 | 500-3000 rpm |
电源电压 | 230VAC 50Hz 5A |
CDA供给压力 | 0.5-0.6 MPa |
CDA 最大消耗量 | 3 m3/h |
CDA 连接管 | 6 mm |
去离子水 供给压力 | 0.2-0.3 MPa |
去离子水最大消耗量 | 100 L/h |
去离子水连接管 | 6 mm |
真空供应 | 0.02-0.04 MPa |
真空连接管 | 6 mm |
排气连接管 | 50 mm |
尺寸 | 900x780x1280 mm |
重量 | 110 kg |
产品相关关键字: 清洗 切割 键合 |