快速退火炉

简要描述：美国RTP系列的快速退火炉温度均匀度≤1%，处理的大尺寸可以达到200mm，温度可以达到1200摄氏度，处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行，做多可支持4~6路进气，可以用到的气体包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。

产品分类

详细介绍

基于PID处理控制器的Solaris GUI可以存储程序，每套程序可以支持高达100个步骤的设定，带USB2.0的接口。包含Solaris GUI 软件，与微软Windows操作系统兼容。通过该软件，通过链接电脑可以非常方便地实现程序编辑以及数据记录。

技术规格：

- 温度：1200摄氏度；

- 升温速率：150摄氏度/秒；

- 温控均匀性：±2.5℃设定温度；

- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部区域加热；

- 处理时间：0.1秒至无*；

- 灯管数量及功率：13支，

- 腔体冷却：风冷方式；

- 衬底冷却：氮气吹扫；

- 工艺气路：MFC控制，多6路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；

应用领域：

快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);

快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);

快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);

硅化 (Silicidation);

扩散 (Diffusion);

化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing);

离子注入后退火 (Implant Annealing);

电极合金化 (Contact Alloying);

晶向化和坚化 (Crystallization and Densification);

产品咨询