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光谱椭偏仪可配置从DUV到NIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜,如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常仅为约1至2nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时,深紫外光谱椭偏仪也是必不可少的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。当然,如果必须确定光学常数,则应将工具的波长范围配置为该范围。其他配置,如波长分辨率,角度范围等,将根据所需的应用进行考虑。
光谱椭偏仪特征:
•基于Window软件,易于操作;
•先进的光学设计,实现系统性能;
•高功率DUV-VIS-NIR光源,适用于宽带应用;
•基于阵列的探测器系统,确保快速测量;
•用户可以根据需要定义任意数量的图层;
•能够用于实时或在线厚度,折射率监测;
•系统配有全面的光学常数数据库;
•高级TFProbe 3.3.X软件允许用户对每个胶片使用NK表,色散或有效介质近似(EMA);
•三种不同的用户级别控制:工程师模式,系统服务模式和简易用户模式;
•灵活的工程模式,适用于各种配方设置和光学模型测试;
•强大的一键式按钮解决方案,用于快速和常规测量;
•可按照用户偏好配置测量参数,操作简便;
•系统全自动校准和初始化;
•直接从样品信号获得精确的样品对齐接口,无需外部光学元件;
•精确的高度和倾斜程度调整;
•适用于许多不同类型的不同厚度的基材;
•各种选项,附件可用于特殊配置,如绘图阶段,波长扩展,焦点等;
•2D和3D输出图形以及用户数据管理界面;
光谱椭偏仪应用:
•半导体制造(PR,氧化物,氮化物......)
•液晶显示器(ITO,PR,Cell gap ......)
•法医学,生物学材料
•油墨,矿物学,颜料,调色剂
•制药,医疗器械
•光学涂层,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......
•半导体化合物
•MEMS / MOEMS中的功能薄膜
•无定形,纳米和硅晶圆
•太阳能电池薄膜,CdTe,CdS,CIGS,AZO,CZTS ....
光谱椭偏仪技术参数:
型号 | SE200 (DUV-Vis) | SE300 (Vis) | SE450 (Vis-Nir) | SE500 (DUV-Vis-Nir) |
探测器类型 | CCD或CMOS阵列 | CCD或CMOS阵列 | CCD或CMOS和InGaAs阵列 | CCD或CMOS和InGaAs阵列 |
波长范围(nm) | 190至1100 | 370至1100 | 370-1700 | 190-1700 |
波长点 | 测量波长范围和波长数据点均在用户配方中自定义(数据点仅受分辨率限制) | |||
波长分辨率 | 0.01 -3nm | 0.01 -3nm | 0.01至3nm | 0.01至3nm |
数据采集时间 | 100毫秒到10秒,用户自定义 | |||
入射角范围 | 20至90度 |
产品相关关键字: 光谱椭偏仪 椭圆偏光仪 椭圆偏振仪 椭偏仪 SE系列光谱椭偏仪 |