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光谱椭偏仪 DUV-VIS-NIR

简要描述:光谱椭偏仪可配置从DUV到NIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜,如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常仅为约1至2nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时,深紫外光谱椭偏仪也是*的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。

  • 产品型号:SE200/SE300/SE350/SE500
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2020-01-08
  • 访  问  量:325

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详细介绍

光谱椭偏仪可配置从DUVNIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜,如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常仅为约12nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时,深紫外光谱椭偏仪也是*的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。当然,如果必须确定光学常数,则应将工具的波长范围配置为该范围。其他配置,如波长分辨率,角度范围等,将根据所需的应用进行考虑。

 

光谱椭偏仪特征:

•基于Window软件,易于操作;

•先进的光学设计,实现系统性能;

•高功率DUV-VIS-NIR光源,适用于宽带应用;

•基于阵列的探测器系统,确保快速测量;

•用户可以根据需要定义任意数量的图层;

•能够用于实时或在线厚度,折射率监测;

•系统配有全面的光学常数数据库;

•高级TFProbe 3.3.X软件允许用户对每个胶片使用NK表,色散或有效介质近似(EMA);

•三种不同的用户级别控制:工程师模式,系统服务模式和简易用户模式;

•灵活的工程模式,适用于各种配方设置和光学模型测试;

•强大的一键式按钮解决方案,用于快速和常规测量;

•可按照用户偏好配置测量参数,操作简便;

•系统全自动校准和初始化;

•直接从样品信号获得精确的样品对齐接口,无需外部光学元件;

•精确的高度和倾斜程度调整;

•适用于许多不同类型的不同厚度的基材;

•各种选项,附件可用于特殊配置,如绘图阶段,波长扩展,焦点等;

2D3D输出图形以及用户数据管理界面;

 

光谱椭偏仪应用:

•半导体制造(PR,氧化物,氮化物......

•液晶显示器(ITOPRCell gap ......

•法医学,生物学材料

•油墨,矿物学,颜料,调色剂

•制药,医疗器械

•光学涂层,TiO2SiO2Ta2O5 ......

•半导体化合物

MEMS / MOEMS中的功能薄膜

•无定形,纳米和硅晶圆

•太阳能电池薄膜,CdTeCdSCIGSAZOCZTS ....

光谱椭偏仪技术参数:

            型号 SE200 (DUV-Vis)  SE300 (Vis)  SE450 (Vis-Nir) SE500 (DUV-Vis-Nir)
探测器类型CCDCMOS阵列CCDCMOS阵列CCDCMOSInGaAs阵列CCDCMOSInGaAs阵列
波长范围(nm19011003701100370-1700190-1700
波长点测量波长范围和波长数据点均在用户配方中自定义(数据点仅受分辨率限制)
波长分辨率0.01 -3nm0.01 -3nm0.013nm0.013nm
数据采集​​时间100毫秒到10秒,用户自定义
入射角范围2090

 

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