CNI v3.0小型纳米压印机

特色：

• 体积小巧，容易存放，桌面型；
• 轻微复制微米和纳米级结构；
• 热压印温度高达200℃；
• 可选的高温模块，适用于250℃；
• UV纳米压印，365nm曝光；
• 可选的UV模块，适用于405nm曝光；
• 真空纳米压印（腔室可抽真空至0.1mbar）；
• 纳米压印压力高达11bar；
• 温度分布均匀、读数精准；
• 笔记本电脑全自动控制，工艺配方编辑简单，*灵活控制，自动记录数据；
• 直径大210mm（圆形）腔室；
• 腔室高度为20mm；
• 即插即用
• 使用简单直观
• 专为研发而设计
• 提供安装和操作教程视频

在过去的五年中，基于石墨烯的气体传感器引起了很大的兴趣，显示出了单分子检测的优势。 近的研究表明，与未构图的层相比,构图石墨烯可大大提高灵敏度.

通过标准程序生长CVD石墨烯，然后转移到Si/SiO 2模板上进行进一步处理。 如（Mackenzie，2D Materials，使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。

使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻，将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃，6bar压力下压印10分钟，压力在70℃下释放。

通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中，并且用丙酮除去残留的抗蚀剂。

发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约2000cm2/Vs的载流子迁移率，之后具有400cm2/Vs的载流子迁移率处理，同时保持整体低掺杂水平。