台式热原子层沉积设备

一、原子层沉积系统特征· 占地面积小（38.1 厘米;宽 15 英寸，深 15 英寸）台式热敏 ALD· 可容纳直径为 6 英寸的样品，并带有可选的可定制卡盘。· 可在现场升级为等离子体。· 暖壁铝室，带 40 – 400°C 的加热样品架· 3 种有机金属前驱体可加热至 185°C，另外一种在标准条件下*· 多达 4 个氧化剂/还原剂源，每个氧化剂/还原剂源均具有超快 MFC（2 个标准）· 高温兼容快速脉冲 ALD 阀，带有超快 MFC，用于· 集成惰性气体吹扫· 静态处理模式下可获得高曝光* 可升级至 4 个，全部加热至 185°C。二、原子层沉积系统规格· 基板温度从室温到 400 °C ± 1 °C（500 °C 可选）;前驱体温度从 RT 到 180 °C ± 2°C（带加热夹套）· 占地面积小（15 英寸 x 15 英寸），台式安装，兼容洁净室· 系统维护简单，公用事业成本低。· 流线型腔室设计和小腔室容积· 快速循环能力和高曝光，可进行深度渗透处理· 完整的硬件和软件联锁，即使在多用户环境中也能安全运行。三、选项· 等离子升级· 定制卡盘/压板· ATOzone – 臭氧发生器（某些薄膜需要：Pt、Ir、SiO2、MoO2、60°C 以下的高质量 Al2O3、高质量 HfO2）· QCM（石英晶体微量天平）· 额外的反反应物管线（MFC 控制）——最多 2 个额外的· 可选第 4 加热前驱体 （185°C）· 外部控制 – PC/软件链接（允许远程编程和运行）· 高于标准压力状态· 定制系统四、设施有关详细说明，请参阅我们的演示和视频说明：“AT650T 安装和启动 "· N2 吹扫气体应为 >99.9995%，带有截止阀（调节至 10 – 30 psi，金属密封）。输入线是 1/4 母头 VCR 压缩接头通过 1/4 英寸金属线将 99.9995% 氮气 （UHP） 吹扫气体>背面的 1/4 英寸压缩接头连接起来· 通过 90/110 英寸聚乙烯管或金属线将 1-4 psi CDA（清洁干燥空气）连接到另一个标有 CDA（清洁干燥空气）的 1/4 英寸压缩接头· 最小 19.5cfm 湿泵（**需要 PTFE 真空流体（如 Fomblin））（干泵是可选的）NW40 （1.5“） 连接和排气管（带 5cfm > 的抽吸）大于 1 米应使用 NW50 排气管路· 前体通过内螺纹 VCR 弯头连接（始终使用新垫圈）。弯头：1/4“ 垫圈先（戴手套）有关前驱体的连接，请参阅“AT650T 安装和启动"软件有关详细说明，请参阅我们的演示和视频说明：“AT650T 安装和启动 "· 带 10 英寸触摸屏的人机界面 （HMI） PLC 系统面板· 适用于标准 ALD 循环沉积的高级控制，如纳米层压板、掺杂薄膜和三元薄膜· 用于高质量、经过测试的工艺的配方数据库· 自定义配方输入屏幕· 实时显示工艺状态· 可单独编程的加热源温度· 用于三元化合物和纳米层压板的内置脉冲序列· 快速运行，简单的问题让用户开始输入子周期和总周期