详细介绍
霍尔效应测试系统HET是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括 Si、ZnO、SiGe、Sic,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
产品特点
1.采用高精密度恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能*
2.自动控制磁场方向的改变,更加便捷准确
3.样品装夹快速方便,且使用能够解决欧姆接触的样品芯片
4.产品采用一体化、精密化设计,融入人性化的设计理念,不仅测量精确而且操作方便
5.用户界面操作简单,功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验,使测试过程更加方便快捷
应用功能
1.载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数,可以确定电流携带者的类型,是正电荷的空穴还是负电荷的电子,从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性
2.载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系,因此通过测量霍尔系数,可以估计材料中载流子的浓度
3.迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率,即电荷载流子在材料中移动的能力,从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究
4.材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息,可以更全面地评估材料的电性能,为电子器件和电路设计提供重要参考
霍尔效应测试系统HET技术参数
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