12英寸带真空退火炉

12英寸带真空退火炉

1.温度范围：150–1,300℃；                              

2.升温速率：1-200℃/秒可调；                              

3.温度均匀性：±5℃（200mm wafer 1015℃）；                              

4.样品尺寸：12寸或300×300mm（多温区控制）；                

5.控制软硬件：自研系统软件，支持SEMI自动化标准，SECS/GEM通讯接口；可编程温度曲线存储500条以上, 每条曲线包括50段以上，数据可导出为文本文件便于数据处理。                                 

6.降温速率：80℃/秒（急冷可选，降温速率200℃/秒）；

7.温度设定范围：100-1,300℃，每段时间设定范围1- 30,000秒；    

8.温度过冲：＜5℃；                           

9.测温系统：K型热偶，双点测温（光学测温可选）；                            

10.降温系统：CDA，水冷；                               

11.控温精度：±0.3℃；                              

12.PID温控：PID温控，在升温速率下仍可保证不过冲；     

13.保温时间：1200℃保温时间＞600秒；                             

14.温度稳态稳定性：±1℃；                             

15.工艺气路：2路MFC（最多可选6路）；

12英寸带真空退火炉应用领域：
硅基，三代，四代半导体制程工艺(RTP,RTA,RTO,RTN）
铁电材料研究
薄膜应力调控
集成电路制造
材料物性测试前热处理，热振实验
CMOS工艺优化
掺杂激活（离子注入后退火）
欧姆接触退火（金属化退火）
氧化/氮化处理
高k介质热处理
硅片表面处理
太阳能电池制造
相变材料处理
薄膜应力调控
晶粒生长与结晶退火
新材料热稳定性研究
MEMS器件加工
纳米器件加工