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美国Cargille折射率匹配液 |
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应用领域
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型(厚度,成份和结构),优异的沉积均匀性和*性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括:
1) 晶体管栅极介电层(high-k)和金属栅电极(metal gate)
2) 微电子机械系统(MEMS)
3) 光电子材料和器件
4) 集成电路互连线扩散阻挡层
5) 平板显示器(有机光发射二极管材料,OLED)
6) 互连线势垒层
7) 互连线铜电镀沉积籽晶层(Seed layer)
8) DRAM、MRAM介电层
9) 嵌入式电容
10) 电磁记录磁头
11) 各类薄膜(<100nm)
技术参数:
基片尺寸:4英寸、6英寸;
加热温度:25℃~350℃;
温度均匀性:±1℃;
前体温度范围:从室温至150℃,±2℃;可选择加热套;
前驱体数:一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源;
PLC 控制系统:7英寸16 位彩色触摸屏HMI控制;
模拟压力控制器:用于快速压力检测和脉冲监测
样品上载:将样品夹具从边上拉出即可;
压力控制装置:压力控制范围从0.1~1.5Torr
两个氧化剂/还原剂源,如水,氧气或氨气;
在样品上没有大气污染物,因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现;
氧化铝催化剂处理能力:6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟(同类zui佳)
高纵横比沉积,具有良好的共形性
曝光控制,用于在 3D 结构上实现所需的共形性;
预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方;
简单便捷的系统维护及安全联锁;
目前市面上占地zui小,可兼容各类洁净室要求的系统;
可以为非标准样品而订制的夹具,如 SEM / TEM 短截线
原子层沉积ALD的应用包括:
1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);
2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN);
3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);
4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
5)纳米结构 (All ALD Material);
6)生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS);
9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO);
10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2);
11) OLED钝化层 (Al2O3);
12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2);
16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17)传感器 (SnO2, Ta2O5);
18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2);
目前可以沉积的材料包括:
1)氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2)氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3)氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4)金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5)碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6)复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7)硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
产品相关关键字: Anric原子层沉积 ALD原子层沉积系统 Atomic layer deposit AT-600 原子层沉积ALD |