原子层沉积系统

一、原子层沉积系统技术参数：

1.腔体材质：全铝铝质腔体；

2.样品台尺寸：处理最大直径6英寸样品；

3.基片加热温度：室温~315℃±1℃；

4.液体源：一路高蒸气压液体氧化剂（H2O或H2O2），3路固体或液体金属源；

5.可变过程压力控制0.1至1.5Torr；

6.ALD阀：Swagelok快速高温ALD专用阀；

7.载气系统：N2，压力30Psi；

8.生长模式：连续和停留沉积模式任意选择；

9.控制系统：16位7英寸彩色触摸屏PLC操作控制；

10.4个世伟洛克热敏ALD阀门；

11.5个高温剂量容积填充阀；

12.带辅助弯头加热器的保形加热套，操作温度室温至150℃；

13.带阀门的50ccSS前体瓶，波纹管密封高温兼容阀;

14.Fujikin金属密封，200sccmMFC流量质量控制器，用于N2或Ar吹扫流量控制；

15.基于双温探头的腔室加热器控制系统和探头故障保险；

16.OEM 2级旋转叶片泵，抽速18 cfm，极限真空3mtorr，包括Flomblin用于PFPE油；

二、原子层沉积系统特点

精准控制：薄膜厚度可精确至亚纳米级（0.1 Å/cycle），重复性误差<1%。

高均匀性：在复杂3D结构（如纳米线、多孔材料）表面实现均匀覆盖。

低温工艺：部分机型支持室温至300℃以上，范围沉积，兼容热敏感基材（如聚合物、生物材料）。

前驱体兼容性：支持金属有机化合物、卤化物、等离子体增强（PEALD）等多种反应模式。

原位监测：集成石英晶体微天平（QCM）、椭偏仪或光学反射仪，实时监控薄膜生长。

三、原子层沉积系统应用领域

半导体制造：高介电材料（HfO₂、Al₂O₃）、晶体管栅极、DRAM电容薄膜。

新能源：锂离子电池电极包覆层、燃料电池催化剂涂层。

光电子器件：OLED封装层、光伏器件钝化层。

纳米技术：量子点涂层、MEMS器件防水/防腐蚀膜。

生物医疗：生物传感器表面功能化、植入器械抗菌涂层。

四、目前可以沉积的材料包括：

1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN

3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2

4）金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni

5）碳化物: TiC, NbC, TaC  

6）复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx

7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS

五、提供售后服务安装调试培训；

原子层沉积（ALD）系统的售后服务致力于为客户提供全面支持，包括设备安装调试、操作培训、技术咨询及定期维护。我们的专业团队确保设备高效运行，快速响应故障排查与维修需求，并提供备件更换和软件升级服务，以延长设备寿命并保障生产效率。客户可通过热线或在线平台随时联系我们，享受定制化的解决方案。